美国也被封锁了？中国这项技术，美国就算追赶15年都难以超越

美国作为目前全球范围之内科技实力最强的国家，长期以来对我国进行打压，他们这样目的就是为了遏制我国在科技上的发展，避免我国超越他们在科技发展上所达成的成就。

但是在我国的不断努力之下，美国这样的行为发挥的作用越来越小，尤其是在他们对我国进行技术封锁之后，我国还屡次突出重围，甚至研发出的一些技术，还反过来对美国进行了封锁。不得不说我国真的是太强了。

在我国实力日益强大的状态下，我国研发的某些技术的确已经超越了西方国家，其中我国的激光晶体领域的研发所取得的成果独步全球。

在这一方面，甚至连美国现如今都对我国难以进行追赶。老美甚至在经过15年的努力之后，都难以对我国实现超越。

激光晶体是一种将外部提供的能量转化为激光的一种晶体材料，这对于激光的应用来说有着重要作用，它对光学当中实现转化尤其重要。

对于激光晶体这一类技术的运用与之相关的就是对于芯片的研发，虽然在芯片研发上对于光刻机这一设备上，我国遭受了西方国家的限制，但是我国却做到了在KB BF激光晶体上对西方国家的反封锁，其中当然也包含了美国。

那我国在激光晶体上，对西方国家达成的封锁究竟有怎样的作用呢？我国所取得的这一成就究竟有多强？

对于KB BF激光晶体，它的主要用途就是用来制造极紫外线激光，这种激光专门用来在光刻机当中复述芯片的生产。

而我国研发完成的KB B F晶体是目前唯一能够在176nm以上输出极紫外光的单晶材料，在这一类材料的运用之下，能够制造出高端的极紫外光刻设备，这在光刻运用当中是特别重要的一类辅助材料。

为此，有部分国家对这一类晶体的研制相当积极，不过对于其中所涉及到的制造工艺，还有技术要求很高，所以不是那么轻易能够达成的。而我国正是在2002年的时候，研发出了这一晶体，奠定了我国在这一领域当中的领先地位。

我国KB BF晶体的研发吸引了其他许多国家的关注，在我国众多科研人员的努力之下，使得这一晶体研制当中的金属化后的转换效达到了30%以上。

这表示在这一晶体运用的过程当中，它的蒸发和耗损都会降低，从而延长了它的使用寿命，这对于我国半导体行业来说是一个很大的进步，将这一晶体用在激光光刻设备上，也会对我国光刻机的运用和芯片的研制带来新的技术支持。

我国这一晶体研制完成时，最开始的时候并没有对其他国家进行限制，而是选择将这一项技术向其他国家展示，并且还提供帮助。

但是在上世纪70年代，我国发现其他国家试图将这一项技术用在战争中，甚至还用来研制太空激光武器，这对于全球来说是具备危害性的，所以在2009年的时候，我国开始对这一技术禁止出口。

在我国限制出口之后，西方企业只能自己进行研制生产这一类激光晶体。到2016年的时候，美国表示突破了我国这项技术的垄断。虽然他们花费了15年的时间，但是最终达成的成果也许并不如他们所说的那么厉害。

15年的时间过去，我国对于KB BF晶体技术的研发已经更加成熟，并且在此基础之上还研发出了新的激光晶体。

相比之下，美国对于激光晶体研制和开发的过程当中却缺乏人力资源出现了停滞，并且在这一方面投入了大量的财力和物力，最终所达成的成果也只是我国在十几年前完成的，这意味着西方国家对于光刻机生产当中所存在着的紫外激光技术应用，仍然落后于我国。

并且现如今我国的LSBO激光晶体研发已经取得了重大的成功，而且在科研和超精密加工领域取得了偌大的进步。这对于我国芯片产业今后的发展将是十分有益的，也是我国光刻机产业达成的又一次飞跃。

在遭受西方国家的打压之下我国企业并没有气馁，反而因此有了更强的拼搏精神。目前我国对于芯片加工精度相关的许多技术已经达到了国际前列水平。即使在西方国家对我国进行技术封锁的情况下，我们仍然寻找出了一条更为适合我国发展的科技研发道路。