p型n型半导体的区别

不带电。这只是他们内部显现出来的特性。因为是半导体，内部有两种可移动的载流子，因为加入了其他杂质，使得其中的载流子数量不等，故有N型P型之分。如果两者带有正电和负电，那么对外就会显示电属性，而不是电中性

半导体是中性物。在激发态才是
P型半导体，也叫空穴半导体，在硅中掺杂了3价的铝元素，与周围硅4价形成共价结合，缺一个电子，形成空穴。这样是相当于带正电的粒子。
N型半导体，也叫电子半导体，在硅中掺杂5价磷，和硅4价，结合共价后，多一个自由电子。
当PN结组合形成二极管结构，就利用PN结的特性。

不对，载流子指可移动的电荷，半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了

还有空穴是一个概念性的东西，实际是不存在的。

P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

既然空穴是因为缺少电子的缘故，所以可以认为其带正电，由于周围的电子的热运动时而会被这个显正电的‘空穴’所补获，而这个空穴得到了电子不显电性了，但是别处失去电子也会形成一个‘空穴’，又会有一个周围的电子来填充，同时周围失去电子又会形成一个‘空穴’但是空穴在什么位置是无规律的，如果加上电场形成电势差就会使其朝一定方向移动，形成电流。

P型半导体是在本征半导体硅中加入3价元素锗形成的，本征半导体是一种晶格结构，每一个硅原子都会和它四周的硅原子形成共价键结构，在常温下由于热运动，最外层的硅原子就会挣脱原子核的束缚成为自由电子，失去电子后在原来的地方就留下一个空位，这就叫空穴。在本征半导体中加入3价元素锗后，某些硅原子就会被锗原子取代，锗原子最外层只有3个电子，它和四周的硅原子形成共价键结构时，还缺少一个电子，所以可以认为每一个锗原子都提供一个空穴。

n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂，是稳态的，这些电子虽然比空穴多，但是受核子的束缚。

在本征半导体 也就是纯净的硅中 加入少量三价的元素 使每一个三价元素取代一个四价元素的位置 三价元素会与周围的四价元素形成共价键 然后三价元素周围的四个共价键中 会有一个共价键缺少一个电子 接着它就会从相邻的共价键中获取一个电子 然后这个位置上 就会产生一个空穴

不带电。n型半导体是指在本征半导体中加入五价元素，每一个五价元素原子与四个四价半导体元素原子形成四对共用电子对（每一对电子对由半导体元素原子与该五价元素原子各提供一个电子），这样五价元素原子因四对八个共用电子而达到最外层电子稳定，于是多出来的一个电子（因为形成共用电子对时五价元素原子只贡献了4个电子）就成为自由电子，这就是n型半导体的多数载流子。但是尽管如此，n型半导体还是不带电。因为加入五价元素后所有原子的质子数与所有原子的电子数仍然相等，在加入五价元素后，在载流子的形成过程中不存在系统对外电子的失去或得到。因此整个系统还是静电平衡，因此，不带电。半导体一般分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体根据掺入元素价态的不同又分为n型半导体（掺入五价元素）与p型半导体（掺入三价元素）。本征半导体导电性能很差，其中电子和空穴都参与导电，而电子和空穴都是热激发形成的。因此本征半导体的导电性具有温度敏感性。杂质半导体导电性能要好于本征半导体。同时杂质半导体主要是多子（多数载流子）导电。这是因为五价或三价元素掺入的过程使多子数量远多于少子数量。其中n型半导体多子为自由电子，p型半导体多子为空穴。因为杂质半导体多子数量主要和掺入杂质数量有关，因此其多子几乎不受温度影响。但其导电性对温度也比较敏感，这是因为质半导体中的少子还是受热激发产生的，因此也受温度影响。

《我和我的老师》