C-V测量的技术分享

2022-12-21 15:59

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C-V吉时利全新接线技术
图7. 跳接同轴线[28]屏蔽层示意图
好的C-V测量取决于接地跳线的质量。随着频率的提高,好的接地跳线变得愈发重要。探头体必须跳接在一起,因为同轴线缆的屏蔽层实际上是C-V测试系统测量通路的一部分。如果屏蔽层没有靠近连接在一起,就会形成一个很大的回路,从而在测量通路中直接产生较大的电感,给电容测量带来很大的误差。
当有人想要采用与C-V测量系统相同的探针和线缆系统配置进行直流I-V测量时,按这种方式(如图7所示)跳接探针体[29]的缺点就显而易见了。
图8. 新方法简化了I-V、C-V和超快I-V测试连接配置
吉时利研究出了一种新的接线技术(如图6所示)能够减少在I-V、C-V和超快I-V测试之间转换所需的重新连线时间。这种技术采用一种特殊的三轴线缆直接连接探头,但是内部屏蔽层保持浮空或者与C-V同轴屏蔽层绝缘。这实际上是将外部屏蔽层跳接在了一起,保持内部屏蔽层浮空为直流I-V的驱动保护。这种三轴接头实现了一种简便而直接的与直流I-V三轴输出端的连接方式。C-V输出从同轴转换为三轴,保护端仍然断开,从而同一条线缆很容易从直流I-V转换到C-V测试端。这种特制的三轴线缆具有100欧姆的匹配阻抗,因此同样的线缆可以采用T型连接方式连接在一起,直接与超快I-V测试仪器[30]连接。这种配置使得屏蔽层跳线始终保持连接,能够快速而简便地实现直流I-V、C-V和超快I-V测试之间的转换。
半导体C-V测量的精确性取决于高精度的测试仪器、精心设计的布线结构以及对这些底层测量原理的准确理解。在掌握这些方面之后,您就可以设计出能够满足测试应用需求的硬件和布线结构。

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